昨日，高通公司宣布推出新旗舰晓龙835，新的处理器将会采用三星10nm FinFET制程工艺，和上一代14nm工艺相比，新工艺将使芯片尺寸缩减30%同时提升27%的性能并降低40%的功耗。
作为晓龙820、821的继任者，晓龙835将扛起2017年安卓旗舰机型的大旗。由于体积更小性能却更强大，OEM厂商可拥有更多的设备内部空间，从而添加更大容量的电池或者将机身设计的更加轻薄。
另外，高通还公布了Quick Charge 4.0快充技术，充电速度比QC3.0快20%，效率提高30%，新增了对USB_C接口的兼容性。简单来说，采用QC4.0充电协议的手机只需充电五分钟，即可正常使用五小时。
QC 4.0还加入了电源电压管理算法INOV，可以根据电池的温度和电压变化对电量输入进行适当的调节，防止三星爆炸事件再次发生。