东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

2025-05-20 14:47

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中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第 3 代 SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。

四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比[5]，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备中的功率损耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω

续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）

图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

应用：

服务器、数据中心、通信设备等的开关电源

电动汽车充电站

光伏逆变器

不间断电源

特性：

DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗

东芝第3代SiC MOSFET

通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性

低漏源导通电阻×栅漏电荷

低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25°C）

器件型号	TW031V65C	TW054V65C	TW092V65C	TW123V65C
封装	名称	DFN8×8
	尺寸（mm）	典型值	8.0×8.0×0.85
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）	650
	栅极-源极电压VGSS（V）	–10至25
	漏极电流（DC）ID（A）	Tc＝25°C	53	36	27	18
电气特性	漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）	VGS＝18V	典型值	31	54	92	123
	栅极阈值电压Vth（V）	VDS＝10V	3.0至5.0
	总栅极电荷Qg（nC）	VGS＝18V	典型值	65	41	28	21
	栅极-漏极电荷Qgd（nC）	VGS＝18V	典型值	10	6.2	3.9	2.3
	输入电容Ciss（pF）	VDS＝400V	典型值	2288	1362	873	600
	二极管正向电压VDSF（V）	VGS＝–5V	典型值	–1.35
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