英特尔欲加码资本支出，与台积电三星火拼10nm制程
作者：realchip 时间：2016/12/6 11:54:35
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英特尔美西时间近日释出今年度资本支出维持90亿至100亿美元的讯息，仍有机会超过台积电，并预期今年下半年到明年上半年将进入10纳米资本支出的高峰期，持续与台积电、三星等同业在先进制程比拼。
不过，相较于台积电已宣布7纳米明年第2季试产，并于明年第4季或2018年初量产等清楚的蓝图，英特尔未释出7纳米的时程，代表台积电在先进制程上，还是居于领先。
英特尔这次法说会上并未说明10纳米具体量产和产品上市时间点，外界预期，英特尔10纳米产品量产时间可能落在明年下半年，比台积电和三星的时程晚。
由于英特尔于8月正式宣布切入代工业务，代表将与台积电、三星争抢苹果、高通、联发科等重量级晶片厂的订单。但这些晶片厂的10纳米晶片，为了因应客户明年度终端新产品，今年第4季就得进入设计定案阶段，因此英特尔明年度的代工客户斩获会相当有限，真正的角力赛将是后年产品上，以此计算，明年上半年将是抢单的鸣枪时点。
至于7纳米部分，外电报导曾指出，英特尔的7纳米量产时间点可能延至2021年，将比台积电足足落后近三年的时间。外电报导曾认为，以英特尔生产处理器的时间而言，合计将经历2018年的10纳米、2019年的10纳米+、2020年的10纳米++阶段，直到2021年1月才会生产首批7纳米晶片。
来源：正芯网（现货IC采购平台）