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绝缘栅双极晶体管IGBT

    作者:realchip   时间:2016/12/2 12:01:07
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IGBT是将场效应管和双极性三极管结合在一起的产品

  电力MOSFET器件是单极型(N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电)、电压控制型开关器件;因此其通、断驱动控制功率很小,开关速度快;但通态降压大,难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型(其中,电子、空穴两种多数载流子都参与导电)、电流控制型开关器件;因此其通-断控制驱动功率大,开关速度不够快;但通态压降低,可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点,弃其缺点,20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导体电力开关器件——绝缘栅极双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)。它是一种复合器件,其输入控制部分为MOSFET,输出级为双级结型三极晶体管;因此兼有MOSFET和电力晶体管的优点,即高输入阻抗,电压控制,驱动功率小,开关速度快,工作频率可达到10~40kHz(比电力三极管高),饱和压降低(比MOSFET 小得多,与电力三极管相当),电压、电流容量较大,安全工作区域宽。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件已有产品,可供几千kVA以下的高频电力电子装置选用。

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