－该系列产品包含1200V和650V两种规格－
中国上海，2022年8月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
-开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
-电动汽车充电站
-光伏变频器
-不间断电源（UPS）
-单位面积导通电阻低（RDS(ON)A）
-低漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）
-低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V
Ø 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
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器件型号
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封装
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绝对最大额定值
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电气特性
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库存查询与购买
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漏极-源极电压
VDSS（V）
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栅极-源极电压
VGSS（V）
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漏极电流
（DC）
ID（A）
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漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
典型值（mΩ）
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栅极阈值电压
Vth（V）
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总栅极电荷
Qg
典型值（nC）
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栅极-漏极电荷
Qgd
典型值（nC）
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输入电容
Ciss
典型值（pF）
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二极管正向电压
VDSF典型值
（V）
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@Tc＝25℃
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@VGS＝18V
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@VDS＝10V
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@VDS＝400V、
F＝100kHz
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@VGS＝-5V
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TW015N120C
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TO-247
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1200
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-10至25
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100
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15
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3.0至5.0
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158
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23
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6000
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-1.35
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在线购买
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TW030N120C
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60
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30
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82
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13
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2925
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在线购买
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TW045N120C
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40
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45
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57
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8.9
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1969
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在线购买
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TW060N120C
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36
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60
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46
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7.8
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1530
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在线购买
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TW140N120C
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20
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140
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24
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4.2
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691
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在线购买
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TW015N65C
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650
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100
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15
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128
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19
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4850
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在线购买
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TW027N65C
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58
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27
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65
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10
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2288
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在线购买
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TW048N65C
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40
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48
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41
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6.2
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1362
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在线购买
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TW083N65C
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30
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83
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28
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3.9
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873
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在线购买
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TW107N65C
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20
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107
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21
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2.3
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600
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在线购买
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注：
[1] 通过采用为第二代SiC MOSFET开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻（RDS(ON)A），同时降低JFET区域反馈电容的器件架构。
[2] MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)A被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[4] 当第二代SiC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被设为1时，与新款1200V SiC MOSFET比较。东芝调研。
[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比较。东芝调研。