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东芝推出用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦


作者:    时间:2021/11/30 17:38:14  来源:   
中国上海,2021年11月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。
 
 
 
TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄性封装(SO6L)可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。
 
TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1],便于替代东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄,能够为电路板组件布局提供更高的灵活性,并支持电路板背面安装,或用于器件高度受限的新型电路设计。
 
这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃(Ta=-40℃至125℃),使其更容易设计和保持温度裕度。
 
此外,东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)与TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。
 
Ø 应用:
工业设备
-工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。
 
Ø 特性:
-高峰值输出电流额定值(@Ta=-40至125
IOP±2.5ATLP5702H
IOP±5.0ATLP5705H
-薄型SO6L封装
-高工作温度额定值:Topr(最大值)=125
 
Ø 主要规格:
 
(除非另有说明,@Ta=-40至125℃)
器件型号
TLP5702H
TLP5705H
TLP5702H
LF4
TLP5705H
LF4
封装
名称
SO6L
SO6LLF4
尺寸(毫米)
10×3.84(典型值),
厚度:2.3(最大值)
11.05×3.84(典型值),
厚度:2.3(最大值)
绝对最大额定值
工作温度Topr
-40至125
峰值输出电流IOPH/IOPL(A)
±2.5
±5.0
±2.5
±5.0
电气特性
峰值高电平输出电流
IOPH最大值(A)
@IF=5mA
VCC=15V
V6-5=-7V
-2.0
峰值低电平输出电流
IOPL最小值(A)
@IF=0mA
VCC=15V
V5-4=7V
2.0
峰值高电平输出电流(L/H)
IOLH最大值(A)
@IF=0→10mA
VCC=15V
Cg=0.18μF
CVDD=10μF
-3.5
-3.5
峰值低电平输出电流(H/L)
IOHL最小值(A)
@IF=10→0mA
VCC=15V
Cg=0.18μF
CVDD=10μF
3.0
3.0
电源电压VCC(V)
1530
电源电流ICCHICCL最大值(mA)
3.0
输入电流阈值(L/H)
IFLH最大值(mA)
5
开关特性
传播延迟时间
tpHLtpLH最大值(ns)
200
脉宽失真
tpHL–tpLH最大值(ns)
50
传播延迟差
(器件到器件)
tpsk(ns)
-80至80
共模瞬变抗性
CMHCML最小值(kV/μs)
@Ta=25
±50
隔离特性
隔离电压
BVS最小值(Vrms)
@Ta=25
5000
库存查询与购买
在线购买
在线购买
-
-
 
注:
[1] 封装高度:4.25毫米(最大值)
[2] 现有产品:采用SDIP6封装的TLP700H
 
 
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,但如有变更,恕不另行通知。
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