径向引线高压单层瓷片电容获年度高性能元器件奖
宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年12月3日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公司的HVCC系列径向引线高压单层瓷片电容器荣获2019 AspenCore全球电子成就奖年度高性能元器件奖。该器件无需并联两个1 nF电容即可达到2 nF电容值，紧凑的外形尺寸显著节省PCB空间。
由全球电子技术领域最大媒体集团AspenCore颁发的全球电子成就奖（WEAA），旨在表彰对推动全球电子行业创新发展做出杰出贡献的企业和个人。获奖产品由全球各地的工程师在线投票选出。今年，Vishay的HVCC系列产品在高性能元器件评比中获得最多选票。
HVCC系列电容器容量范围100 pF至2000 pF，标准容差为±20%。对于设计人员而言，器件高容量可节省空间，降低组装成本，并提高牙科和行李扫描仪、各种医疗和工业X射线应用以及脉冲激光器的高压发生器可靠性。HVCC系列电容器提供合格的高性能器件直接替代几乎所有产品编号以DHR开头的Murata电容，该公司此前已正式发布这种产品的停产通知。
小型HVCC系列电容器可在125 %额定电压和+105 °C温度条件下保证1000小时负载寿命，耗散系数小于1.5 %。电容器电压范围10 kVDC至15 kVDC，工作温度-30 °C至105 °C。电容器还提供20 kVDC额定电压，容差± 10 %器件，并可按要求定制引线样式。
电容器亚洲区业务营销高级总监Boonhooi Tan表示：“Vishay永远不会止步创新，我们为通过努力获得著名AspenCore全球电子成就奖感到自豪。这是一种荣誉，激励我们迈向新的高度，开发新技术和新产品，让世界更美好。”
11月7日，在中国深圳召开的全球CEO峰会上举行颁奖典礼表彰获奖者，Vishay华南地区分销经理Alan Zhang，研发和工艺进程高级经理Kong Hau代表Vishay接受颁奖。