“GaN晶体管优于硅晶体管，他的电源的效率更高、温度更低尺寸更小,并且率先实现了大功率电源的无散热片设计” PI资深技术培训经理阎金光（JASON YAN）介绍说，“2018年的PIGaN产品就已经投入市场，目前来看安全性得到了充分验证，没有一颗料失效返厂，我们相信GaN代表着未来，尤其是等OEM厂商认识到GaN的安全性，高效性之后，一定会有更大的增长空间。目前，包括Anker、Aukey、Ravpower等多家公司均已采用了PI的PowiGaN方案，而无一例外，所有配件厂都将GaN技术作为产品的主要卖点之一。”
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PI PowiGaN器件可提供更多功率
据悉，PI推出的InnoSwitch™3(CE/CP/Pro)IC产品系列与LYTSwitch™-6 IC利用PI的PowiGaN开关技术都实现了100W以上的输出功率，其中，功率器件皆采用了GaN开关技术，使得电源效率更高、温升效果更低、尺寸更小，并且在较大输出功率的电源应用当中实现了无散热片的设计。目前采用内部集成GaN开关的InnoSwitch系列产品能实现95%的满载效率，首次实现在无需散热片的密闭适配器工作环境下达到100 W的功率输出。
PI推出LYTSwitch-6系列安全隔离型LED驱动器IC的最新成员，适合智能照明应用的大功率密度器件。LYTSwitch-6产品系列的新器件仍保留了快速动态响应等优势，可为并联LED灯串提供优异的交叉调整率，并且无需额外的二次稳压电路，同时还支持无闪烁系统工作。这些优势可以保证更加易于实现使用脉宽调制(PWM)接口的调光应用。
“我们的导通电阻更小，开关损耗更低，与InnoSwitch-3硅晶体管的工作方式相比无明显区别，生产工艺由PI开发和维护与已经拥有的合作伙伴协同工作，业内先进的GaN认证过程。”JASON强调，“GaN晶体管技术是功率变换领域的未来，我们的策略是将PowiGaN器件封装在我们的IC内部并对其开关工作提供可靠的保护。工程师可以看到显著的性能优势，但其他方面的变化并不明显。”
简单的反激式电路拓扑结构，无论采用硅晶体管的还是采用PowiGaN开关的InnoSwitch3 IC，均使用相同的开关电源设计流程，相同的开关频率，根据输出功率的不同选取相应的外部电路元件，开关波形极为相似，无异常的电路特性表现及增加特别的设计考量。EMI 标准技术考量，ESD与硅器件相比没有区别，GaN增加了InnoSwitch3的效率和输出功率，GaN开关极大地降低了损耗。寄生电容的大小与MOSFET的大小成比例，更大的MOSFET= 更多的开关损耗。同时，更低的RDS(ON) 意味着更低的导通损耗。
正是因为GaN的效率足够高，因此可以节省散热片设计，从而实现小尺寸高效率的紧凑型适配器设计，十分适合对体积、效率和寿命都有要求的场合。包括非原装USB PD适配器，高端手机充电器和其他移动设备，笔记本适配器。此外还有一些希望采用InnoSwitch系列产品，但是又需要更高功率输出的场合都是PowiGaN产品应用的市场。例如家电、电视机、服务器待机电源、一体机电脑、视频游戏机。应用所要求的特点都受益于InnoSwitch的产品特性，但需要更高的输出功率。