领先的200 mm芯片生产商选择SST的SuperFlash技术用于110 nm CMOS工艺平台
2018年12月13日—— 越来越多的集成电路（IC）设计人员希望找到方法，在实施低功耗、高耐用嵌入式闪存的同时保持较低的生产成本。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）通过其子公司Silicon Storage Technology (SST)宣布与SK hynix system ic建立战略合作伙伴关系，共同扩大SuperFlash®技术的应用范围。通过合作，SST的嵌入式SuperFlash®技术将应用到SK hynix system ic的110纳米（nm）CMOS平台中，从而为设计人员提供具有成本效益的低功耗嵌入式闪存解决方案。
SST的嵌入式SuperFlash®技术可以为许多应用提供卓越的低功耗、高可靠性数据保存和耐久性，例如物联网（IoT）设备、智能卡和基于单片机的应用。对于远程物联网边缘节点和无接触支付设备等低功耗应用，该技术可以提供理想的功率和快速擦除时间。
Microchip全资子公司SST副总裁Mark Reiten表示：“集精致小巧和低功耗为一身的SuperFlash®技术与高成本效益的110 nm工艺节点的强强联合带来了令人兴奋的新产品商机，尤其是对于物联网和基于单片机的应用。本次合作将让需要低功耗、高耐用性嵌入式闪存的客户能够利用高度优化的8英寸CMOS平台，从而保持较低的生产成本。”
SST的SuperFlash®技术补充了SK hynix system ic的嵌入式闪存解决方案，使后者获得低功耗且高度可靠的IP。SK hynix system ic曾是SK hynix（韩交所股票代码：000660）的全资子公司，2017年7月从母公司脱离。它是一家专业生产显示驱动芯片（DDI）、CMOS图像传感器和功率芯片（500 nm至57 nm工艺范围）的200 mm芯片制造商。
SK hynix system ic营销副总裁SB You博士表示：“我们相信，通过采用SST的嵌入式SuperFlash®，SK hynix system ic将能够扩大技术产品组合，这将有助于满足客户对高度可靠和稳健的嵌入式非易失闪存解决方案的要求。此外，我们将为客户提供具有成本效益的嵌入式闪存解决方案，帮助他们在市场中保持竞争力。随着嵌入式闪存解决方案需求增加，将会有许多客户使用我们基于100 nm CMOS技术的嵌入式闪存解决方案。”
工艺开发工作已经于今年早些时候启动，预计将于2019年初完成。如需详细了解公司针对智能卡片内系统（SoC）进行优化的大量现成的IP模块自定义库，请联系SST。