目前，中国正处在功率器件制造的发展初期，同时也是关键的增长市场。与此同时，中国半导体制造产业的快速发展也推动了IDM和晶圆制造商对外延工艺(Epi Tools)的强烈需求。
凭借二十多年的Epi工艺生产经验，应用材料公司新推出Applied Centura® Pronto™ EPI ATM腔体，帮助IDM和晶圆制造商以最低的风险、实现最佳晶圆性能。该系统可提高生长速度，降低化学物流量，缩短清洁时间，降低清洁耗材成本。应用材料公司的原铮博士（200mm半导体及动力辅助设备产品部门全球服务产品事业部副总裁）详细介绍了这一全新设备。
原铮博士（应用材料公司200mm半导体及动力辅助设备产品部门全球服务产品事业部副总裁）
原铮博士用自己过去几十年做产品的经验表示，做产品最好不要大改，最好的办法是，在现有基础上，做小的改动，最大化的发挥其功能！
应用材料公司推出的面向功率器件和微机电系统（MEMS）产业的全新Applied Centura® Pronto™ EPI ATM腔体，以求生产卓越品质的厚硅外延层（20~150微米），同时不损害该设备在生成较薄外延层（<20微米）上的出色表现，并加速推动6寸/8寸晶圆批量制造的产量提升和成本降低。功率器件和MEMS要求外延硅薄膜极度均匀，电阻率差异低于2%。为达到这些要求，应用材料公司对标准6寸/8寸Epi腔体的关键硬件和软件都做了升级，并实现：
（1）在单道工序中生成厚达150微米的硅外延层；
（2）与标准腔体相比更短的清洗时间；
（3）在清洗工序间对多片晶圆完成外延工艺（<20微米）；
（4）显著降低耗材成本。因为一旦外延工艺设备完全折旧，运行成本就会对盈利能力产生重大而直接的影响，所以，严格控制耗材成本对于整体盈利能力至关重要。
“作为外延工艺的先锋和外延设备的市场领导者，应用材料公司发挥自身长期以来在材料工程领域积累的专长，重新设计了Epi腔体，形成了一套高生产力的Centura Epi ATM解决方案，能够在同一个腔体内实现宽范围的Epi厚度，并将薄膜生长速率提高至6um/min，化学品消耗降低25%，运行成本降低30%，从而为晶圆制造商和器件制造商提高经济且高效的Epi工艺能力。这是目前唯一能够在同一腔体内生产薄和厚（<1—150微米）外延的设备。” 原铮博士补充道。在一项500晶圆片的耐力测试中，全新的Epi腔体在生成100微米厚的硅外延层时展现了高于每分钟6微米的生产速率，达到批量制造设备的三倍。此外，Epi腔体的设计和更短的工艺推动了三氯氢硅前体的化合效率和效能最优化，使得腔体更清洁，并减少了去除圆顶镀膜所需的盐酸消耗量。